1、KIA75N75产品描述75N75是N沟道增强型功率场

状态特性稳定、快速的效应晶体管

开关速度，低热阻，常用于电信

和计算机应用。

2、KIA75N75产品特征RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

超低栅电荷（典型的90纳米）

快速交换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，坚固性高

3、KIA75N75参数范围产品型号：KIA75N75

工作方式：75A/75V

漏源电压：75V

栅源电压：±20V

漏电流连续：75A

脉冲漏极电流：300A

雪崩能量：900mJ

耗散功率：220W

热电阻：62.5℃/V

漏源击穿电压：75V

温度系数：0.08/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：3300PF

输出电容：530PF

上升时间：79ns

封装形式：TO-251、252、220、220F

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